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  • SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
    但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰； SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。
  • 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
    1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅薄膜。这层外延层具有与衬底不同的物理、化学或电学特性，可用于制造
  • 为什么不用sic做igbt? - 知乎
    SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1 6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的快速开关特性，开关电路中的寄生电感应该最小化。
  • 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
    SCI是 科学引文索引，被它收录的期刊，被称为SCI期刊，在期刊领域，具有很高的地位。 JCR分区，包括SCI、SSCI、AHCI、ESCI期刊，但目前只有SCI、SSCI才有分区，也是WOS分区，通常称为Q1、Q2、Q3、Q4，算是国外的一种分区标准。 中科院SCI分区，是 中国科学院文献情报中心 期刊分区表中SCI期刊的分区
  • 功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ - 知乎
    功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级，htrb前后参数差异很小，参数无任何异常， 但加电流偏置200uA测试耐压后，器件三通… 显示全部 关注者 14
  • 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ - 知乎
    SiC晶圆产能：本土加速 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，2022年国外有30个碳化硅相关项目扩产或投产，总投资金额超过800亿人民币，新增衬底产能超过250万片。 2023年以来，海外大厂持续加大与上下游合作伙伴在衬底材料、外延片、器件供应等方面的
  • sci-hub不能再用了，最新发表的论文该怎么下载呢？ - 知乎
    このページでは、Sci-Hubの使用方法や最新情報について議論されています。
  • 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
    SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。




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